Sie wird auch als Hot-Carrier-Diode oder Schottky-Barriere bezeichnet.
1938 entwickelte er das Modell des Metall-Halbleiter-Kontaktes.
Bei der Schottky-Diode handelt es sich um eine Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang) sondern
einen Metall-Halbleiter-Übergang besitzt.
Die Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter wird als Schottky-Barriere bezeichnet.
Wie eine Diode mit einem p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode eine gleichrichtende Eigenschaft.
Unter bestimmten Bedingungen verhält sich ihr Metall- Halbleiter-Übergang jedoch wie ein ohmscher Widerstand.
Er wird dann als ohmscher Kontakt bezeichnet.
Bei Schottky-Dioden handelt es sich um schnelle Dioden. Sie sind für Hochfrequenzanwendungen bis in den Mikrowellenbereich
geeignet.
Ihre Schnelligkeit beruht vor allem auf ihren kleinen Sättigungskapazitäten.
Sie werden deshalb häufig als Schutzdioden zum Spannungsabbau von Induktionsspannungen oder als Gleichrichterdioden
in Schaltnetzteilen eingesetzt.
Die Nachteile von Schottky-Dioden sind jedoch höhere Leckströme im Vergleich zu p-n-Dioden, sowie die bei Konstruktionen für
höhere Sperrspannung schnell ansteigenden Leistungsverluste.
Vorteil der Dioden ist der kleinere Spannungsabfall in Durchflussrichtung gegenüber herkömmlicher Diode.
Aktualisiert
19.07.2018